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【消息】IR新推出开关式转换器应用的中电压MOSFET

发布时间:2020-11-17 10:02:29 阅读: 来源:万用表厂家

<P><FONT color=#000000><FONT face=Courier size=2>&nbsp;&nbsp;&nbsp; 全球功率</FONT><FONT face=Courier size=2>半导体</FONT><FONT face=Courier size=2>和管理方案领导厂商——国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出全新60、80和100V 的N沟道HEXFET&reg; MOSFET。这些产品适用于目前网络和</FONT><FONT face=Courier size=2>通信</FONT><FONT face=Courier size=2>系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。IRF7853PbF、IRF7854PbF及IRF7855PbF均适用于AC-DC次级同步整流、隔离式中等功率DC-DC应用。</FONT></FONT></P><FONT face=Courier>

<P><BR></FONT><SPAN class=px14><FONT id=FontSizeSettings4><BR><FONT color=#000000><FONT face=Courier size=2>  IR中国大陆及香港销售总监严国富指出:“MOSFET的导通状态</FONT><FONT face=Courier size=2>电阻</FONT><FONT face=Courier size=2>和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型SO-8封装器件采用了IR 的沟道MOSFET技术,可以大幅度降低RDS(on) 和Qg,为转换器电路带来显著的系统级优势。”</FONT>

<P><SPAN class=px14><FONT><FONT face=Courier color=#000000 size=2></FONT>&nbsp;</P>

<P><FONT face=Courier><FONT color=#000000><FONT size=2>  这些中电压MOSFET 配合IR 的低电压MOSFET 和控制器</FONT><FONT size=2>IC</FONT><FONT size=2>,可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外,当与SmartRectifierTM 智能整流器IR1167一起应用于</FONT><FONT size=2>笔记本</FONT><FONT size=2>电脑</FONT><FONT size=2>适配器等AC-DC电源时,这些新型SO-8封装器件则可替代两个大型的TO-220 MOSFET 及对应的</FONT><FONT size=2>散热器</FONT><FONT size=2>,提升整体系统效率达1%。</FONT></FONT></FONT></P>

<P><FONT face=Courier color=#000000 size=2></FONT>&nbsp;</P>

<P><FONT face=Courier color=#000000 size=2>  100V IRF7853专为隔离式DC-DC总线转换器的通信总线宽电压输入(36V-75V)的原边桥拓扑结构作了优化。80V IRF7854则可用于有源ORing和热插拔应用。三款MOSFET都是针对5-19V输出的反激转换器的次级同步整流和共振半桥式应用设计的,并可以作为18-36V输入的隔离式 DC-DC转换器的正激拓扑结构或推挽式拓扑结构的原边开关,在隔离式DC-DC应用中使用。</FONT></P></FONT></SPAN>

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